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J-GLOBAL ID：201602210434532747   整理番号：16A0631011

SiO₂の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス

A Resistive Switching Memory Device based on Breakdown and Local Anodic Oxidation

著者 (4件)： 角嶋邦之 (東京工大 工学院) ,  若林整 (東京工大 工学院) ,  筒井一生 (東京工大 科学技術創成研究院) ,  岩井洋 (東京工大 科学技術創成研究院)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 118(SDM2016 32-47)  ページ： 33-36  発行年： 2016年06月22日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高い抵抗比が得られる抵抗変化メモリとしてCeO_x膜と界面SiO₂層をSi基板に積層した構造を提案する。上部電極への正の電圧印加で,誘電率の比から界面SiO₂層が絶縁破壊し低抵抗状態を実現する。一方,負の電圧の印加によりCeO_x膜中の酸素イオンのドリフトによって絶縁破壊箇所が陽極酸化され高抵抗状態へと変化する。このメカニズムに基づくデバイスの試作によってバイポーラ型の抵抗変化メモリの動作確認を行った。また,下部電極としてp⁺Siとn⁺Si基板を用いた場合の比較を行った結果,抵抗変化に必要な電圧が仕事関数差に加えて,スイッチングによる固定電荷形成,および界面準位密度が影響していることが明らかになった。(著者抄録)

シソーラス用語： *シリカゲル ,  *絶縁破壊 ,  *局所性 ,  *アノード酸化 ,  *RAM【メモリ】 ,  ウエハ【IC】 ,  積層構造 ,  誘電率 ,  アニオン ,  ドリフト ,  論理回路 ,  仕事関数 ,  電荷 ,  表面準位 ,  状態密度 ,  *抵抗変化メモリ ,  酸素イオン ,  イオンドリフト ,  バイポーラ記憶回路 ,  固定電荷 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： Si基板

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiO2 ,  絶縁破壊 ,  陽極酸化 ,  抵抗変化 ,  デバイス