スパッタMoS<sub>2</sub>膜のフォーミングガス中アニーリングによる電気特性向上

清水淳一; 大橋匠; 松浦賢太朗; 角嶋邦之; 筒井一生; 若林整

文献

J-GLOBAL ID：201602210452213135 整理番号：16A0282235

スパッタMoS₂膜のフォーミングガス中アニーリングによる電気特性向上

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巻： 63rd ページ： ROMBUNNO.20P-S422-1 発行年： 2016年03月03日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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固体デバイス製造技術一般

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スパッタMoS2膜のフォーミングガス中アニーリングによる電気特性向上

スパッタMoS₂膜のフォーミングガス中アニーリングによる電気特性向上