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J-GLOBAL ID：201602218241196919   整理番号：16A0445116

HfO₂薄膜における強誘電相転移に関する第一原理計算

著者 (6件)： 森分博紀 (JFCC ナノ構造研) ,  小西綾子 (JFCC ナノ構造研) ,  桑原彰秀 (JFCC ナノ構造研) ,  東後篤史 (京大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.2F30  発行年： 2016年03月01日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  *強誘電体 ,  *誘電転移 ,  *計算 ,  *第一原理 ,  *引張応力 ,  強誘電相転移 ,  強誘電体薄膜 ,  第一原理計算

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  薄膜 ,  強誘電相転移 ,  第一原理計算