文献

J-GLOBAL ID：201602219919503229   整理番号：16A0308323

高性能LSIおよびSoC向けトランジスタ技術動向と将来

著者 (1件)： 若林整 (東京工大 大学院総合理工学研究科)
資料名： 日立国際電気技報  (Hitachi Kokusai Electric Technology Journal)
号： 16  ページ： 1-5  発行年： 2016年03月15日 
JST資料番号： X0673B  ISSN： 1346-5953  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 高度情報化社会を支えている高性能LSIおよびSoCの根幹を構成するトランジスタ技術について最近の動向を解説し,将来技術およびIoT/IoE応用に向けた技術について議論する。(著者抄録)

シソーラス用語： *LSI【IC】 ,  *超LSI ,  *トランジスタ ,  *未来 ,  *技術予測 ,  情報化社会 ,  改変 ,  相互接続 ,  ベンチマーク ,  *技術動向
準シソーラス用語： *高性能 ,  *SOC【IC】 ,  高度化 ,  IoT

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C)

引用文献 (74件)：

• Ian M. Ross: The Transistor Down of a New Era, Lucent Technologies, 1997.
• J. S. Kilby: in Proceedings of the IEEE, 88, No. 1, p. 109, 2000.
• Gordon E. Moore: Electronics, 38, No. 8, April 19, p. 114, 1965.
• Patrick P. Gelsinger et al.: IEEE Spectrum, p. 43, October 1989.
• Robert H. Dennard et al.: in IEEE J. Solid-State Circuits, SC-9, p. 256, 1974.

タイトルに関連する用語 (5件)： 高性能 ,  LSI ,  SOC ,  トランジスタ ,  技術動向