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J-GLOBAL ID：201602220932333853   整理番号：16A0283747

AlGaN/GaN系ノーマリーオフPチャネルMOS-HFETにおける基板バイアス効果

著者 (7件)： 久保田俊介 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 63rd  ページ： ROMBUNNO.21P-W541-4  発行年： 2016年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *ヘテロ接合 ,  *電圧変動 ,  基板 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  素子構造 ,  閾値 ,  電流電圧特性 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： AlGaN ,  GaN ,  MOSHFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  ノーマリーオフ ,  PチャネルMOS ,  HFET ,  基板バイアス効果