文献

J-GLOBAL ID：201602221702469056   整理番号：16A0942689

AlGaN/GaN HEMT構造における凹凸AlGaN層形成によるコンタクト抵抗低減効果の解析

著者 (9件)： 渡部拓巳 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  武井優典 (東京工大) ,  下田智裕 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  齋藤渉 (東芝 ストレージ&デバイスソリューション社) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16p-B1-11  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *接触抵抗 ,  熱処理 ,  窒化アルミニウムガリウム ,  *窒化アルミニウムガリウム/窒化ガリウム ,  熱アニーリング
準シソーラス用語： AlGaN ,  *AlGaN/GaN ,  熱アニール

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  凹凸 ,  層形成 ,  コンタクト抵抗 ,  低減効果 ,  解析