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J-GLOBAL ID：201602223448654406   整理番号：16A0444853

スパッタ法によるエピタキシャルFe_2-xTi_xO₃(100)薄膜の作製

著者 (6件)： 北園昌弘 (岡山大) ,  福富大地 (岡山大) ,  中西真 (岡山大) ,  狩野旬 (岡山大) ,  狩野旬 (JST-さきがけ) ,  藤井達生 (岡山大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.1P072  発行年： 2016年03月01日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜 ,  *チタン酸塩 ,  鉄化合物 ,  スパッタ蒸着 ,  *エピタクシー ,  結晶面 ,  磁性半導体 ,  電気伝導率 ,  異方性 ,  エピタキシャル膜 ,  酸化物薄膜 ,  配向膜
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： スパッタ法 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  作製