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J-GLOBAL ID：201602232631588489   整理番号：16A0942780

Laシリケート/ALD-SiO₂積層ゲート絶縁膜を有するSiC-MOSキャパシタの電気特性評価

著者 (8件)： LEI Y. M. (東工大 工学院) ,  若林整 (東工大 工学院) ,  筒井一生 (東工大 科学技術創成研究院) ,  岩井洋 (東工大 科学技術創成研究院) ,  角嶋邦之 (東工大 工学院) ,  古橋壮之 (三菱電機) ,  友久伸吾 (三菱電機) ,  山川聡 (三菱電機)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.16p-C302-9  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ケイ酸塩 ,  ランタン化合物 ,  化学蒸着 ,  *絶縁膜 ,  *誘電体薄膜 ,  炭化ケイ素 ,  *薄膜コンデンサ ,  電気特性 ,  半導体素子 ,  容量電圧特性 ,  電圧 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： シリケート ,  ALD【蒸着】 ,  SiC ,  *MOSキャパシタ ,  パワーデバイス ,  フラットバンド電圧

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： La ,  シリケート ,  ALD ,  SiO2 ,  ゲート絶縁膜 ,  SiC ,  MOSキャパシタ ,  電気特性 ,  評価