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J-GLOBAL ID：201602251087524236   整理番号：16A0930238

P-GaNへのオーミックコンタクト形成における水素含有雰囲気の影響

著者 (6件)： 高橋昌靖 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14a-P6-5  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *Ohm接触 ,  *雰囲気 ,  劣化 ,  接触 ,  抵抗 ,  ウエハ【IC】 ,  *水素雰囲気 ,  シリコンウエハ
準シソーラス用語： *GaN ,  Siウエハ ,  *オーミックコンタクト ,  コンタクト

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  オーミックコンタクト ,  水素 ,  雰囲気