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J-GLOBAL ID：201602271498142251   整理番号：16A0729737

フォトニック結晶技術を用いた半導体レーザーの小型化

Miniaturization of Semiconductor Lasers with Photonic Crystal Technologies

著者 (4件)： 野田進 (京大 大学院工学研究科) ,  高橋和 (大阪府大 大学院工学研究科) ,  浅野卓 (京大 大学院工学研究科) ,  DE ZOYSA Menaka (京大 大学院工学研究科)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 44  号： 8  ページ： 514-519  発行年： 2016年08月20日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： フォトニック結晶は,光の波長程度の周期的な屈折率分布を有する。この光ナノ構造で様々な光制御が可能となる。本論文では,フォトニック結晶技術を用いて,半導体レーザを小型化する技術について紹介した。特に,大面積コヒーレントレーザ発振を可能とするレーザ内部引き込み現象を紹介した。高Q値ナノ共振器を用いた超小型で超低閾値のシリコンラマンレーザの特性を説明し,サブマイクロワットの閾値が実現されていることを示した。次に,高輝度で高ビーム品質のフォトニック結晶レーザを説明した。このレーザーでは,面内引き込み効果が起こり,これが大面積で単一モードのレーザ発振に寄与していることが分かった。

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  小型化 ,  *フォトニック結晶 ,  屈折率分布 ,  光制御 ,  ナノ構造 ,  *レーザ発振 ,  コヒーレンス ,  面積 ,  相互作用 ,  Q値 ,  微小共振器 ,  小型 ,  ケイ素 ,  Ramanレーザ ,  閾値 ,  単一モード ,  大面積 ,  超小型 ,  改変
準シソーラス用語： 引き込み現象

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (22件)：

• S. S. lyer and Y.-H. Xie: Science 260 (1993) 40.
• O. Boyraz, and B. Jalali: Opt. Express 12 (2004) 5269.
• H. Rong, R. Jones, A. Liu, O. Cohen, D. Hak, A. Fang, and M. Paniccia: Nature (London) 433 (2005) 725.
• H. Rong, S. Xu, Y. Kuo, V. Sih, O. Cohen, O. Raday, and M. Paniccia: Nature Photon. 1 (2007) 232.
• T. K. Liang, and H. K. Tsang: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 2745.

タイトルに関連する用語 (2件)： フォトニック結晶 ,  半導体レーザー