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J-GLOBAL ID：201602278034205572   整理番号：16A0930253

分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造のインピーダンス解析

著者 (8件)： 高山留美 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14a-P6-20  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOS構造 ,  *窒化ガリウム ,  *電気測定 ,  分極 ,  *インピーダンス解析 ,  PMOS構造
準シソーラス用語： *GaN ,  PチャネルMOS

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  チャネル ,  GaN ,  MOS構造 ,  インピーダンス解析