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J-GLOBAL ID：201602279519844230   整理番号：16A0930426

Accumulation-Mode積層型ナノワイヤCMOSデバイスのチャネル不純物濃度およびゲート電極仕事関数の依存性

著者 (6件)： 安重英祐 (東京工大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-B1-6  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： モード ,  *FET【トランジスタ】 ,  不純物濃度 ,  電極 ,  *仕事関数 ,  *短チャネル効果 ,  MOSFET ,  *シミュレータ ,  特性 ,  動作 ,  *層 ,  *積層
準シソーラス用語： ゲート電極 ,  *ナノワイヤ電界効果トランジスタ ,  マルチゲートMOSFET ,  蓄積モード ,  動作特性

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  電子放出一般  (BM09010H)

タイトルに関連する用語 (8件)： ナノワイヤ ,  CMOS ,  デバイス ,  チャネル ,  不純物濃度 ,  ゲート電極 ,  仕事関数 ,  依存性