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J-GLOBAL ID：201602289258314377   整理番号：16A0729736

InP半導体薄膜構造による1.55μm帯レーザーの低しきい値・高速動作

Low Threshold and High Speed Operation of 1.55-μm-Band Lasers by InP-Based Membrane Structure

著者 (8件)： 西山伸彦 (東京工大) ,  荒井滋久 (東京工大) ,  西山伸彦 (東京工大 科学技術創成研究院 未来産技研) ,  荒井滋久 (東京工大 科学技術創成研究院 未来産技研) ,  平谷拓生 (東京工大) ,  井上大輔 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大) ,  雨宮智宏 (東京工大 科学技術創成研究院 未来産技研)
資料名： レーザー研究  (レーザー学会誌)
巻： 44  号： 8  ページ： 508-513  発行年： 2016年08月20日 
JST資料番号： X0335A  ISSN： 0387-0200  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 光通信では,長波長帯半導体レーザが利用されているが,ボート間などでは電気配線が利用されている。光配線への変更が検討されており,シリコンフォトニクス技術が開発されている。CMOS LSIチップ上の光配線を目指し,研究を進めている。CMOS技術での問題点を解決するために,半導体薄膜光回路技術を提案した。本論文では,1.55μm帯レーザにおけるInP半導体薄膜(メンブレン)構造の利用について紹介した。メンブレン構造を示し,メンブレンレーザ発振特性を示した。レーザ出力およびスペクトル特性から,低しきい値で高速に動作することが分かった。また,DFB構造を有するメンブレンレーザでの小信号利得や光変調特性も示した。この構造的な特長から,低しきい値,高効率,高速変調などの特性を実現できる。

シソーラス用語： *半導体レーザ ,  *赤外レーザ ,  近赤外線 ,  *半導体薄膜 ,  *リン化インジウム ,  化合物半導体 ,  周波数帯 ,  閾値 ,  高速度 ,  レーザ発振 ,  光通信 ,  配線 ,  オプトエレクトロニクス ,  電子技術 ,  CMOS構造 ,  LSI【IC】 ,  半導体チップ ,  レーザ出力 ,  小信号利得 ,  光変調 ,  膜 ,  CMOS技術 ,  シリコンフォトニクス ,  *近赤外レーザ ,  MOS構造
準シソーラス用語： 光配線

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (17件)：

• D. A. B. Miller: Proc. IEEE 97 (2009) 1166.
• S. Arai, N. Nishiyama, T. Maruyama, and T. Okumura: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 17 (2011) 1381.
• S. Sakamoto, H. Naitoh, M. Ohtake, Y. Nishimoto, S. Tamura, T. Maruyama, N. Nishiyama, and S. Arai: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 13 (2007) 1135.
• T. Hiratani, T. Shindo, K. Doi, Y. Atsuji, D. Inoue, T. Amemiya, N. Nishiyama and S. Arai: IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 21 (2015) 1503410.
• M. Fujita, R. Ushigome, and T. Baba: Electron. Lett. 36 (2000) 790.

タイトルに関連する用語 (5件)： InP ,  半導体薄膜 ,  レーザー ,  しきい値 ,  高速動作