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J-GLOBAL ID：201602289737750515   整理番号：16A0930264

P/N混載GaNパワー集積回路技術の現状

著者 (9件)： 中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (産業技術総合研) ,  大橋弘通 (産業技術総合研) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  UNNI V. (Sheffield Univ.) ,  NARAYANAN E. M. S. (Sheffield Univ.)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 77th  ページ： ROMBUNNO.14p-A21-12  発行年： 2016年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *集積回路 ,  *パワーエレクトロニクス ,  *電力トランジスタ ,  PN接合 ,  ヘテロ接合 ,  オン抵抗 ,  拡散障壁 ,  被覆層 ,  二次元電子ガス ,  P-Nヘテロ接合 ,  *パワーIC
準シソーラス用語： *パワー集積回路

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  パワー集積回路 ,  現状