特許

J-GLOBAL ID：201603002471727036

半導体素子及び結晶積層構造体

発明者： 佐々木 公平 ,  後藤 健 ,  東脇 正高 ,  ワン マン ホイ ,  纐纈 明伯 ,  熊谷 義直 ,  村上 尚
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所 ,  国立研究開発法人情報通信研究機構 ,  国立大学法人東京農工大学
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-175913
公開番号（公開出願番号）：特開2016-051794
特許番号：特許第5907465号
出願日： 2014年08月29日
公開日（公表日）： 2016年04月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 アクセプタ不純物を含むβ-Ga2O3系単結晶からなる高抵抗基板と、 前記高抵抗基板上の、β-Ga2O3系単結晶からなるバッファ層と、 前記バッファ層上の、ドナー不純物を含むβ-Ga2O3系単結晶からなるチャネル層と、 を有し、 前記アクセプタ不純物がFeであり、 前記高抵抗基板の主面の面方位が(001)又は(010)であり、 前記面方位が(001)の場合に前記バッファ層の厚さが0.18μm以上かつ前記バッファ層の前記高抵抗基板との界面からの深さ方向の距離が0.18μmの領域における前記アクセプタ不純物の濃度が1×1016cm-3よりも小さく、前記面方位が(010)の場合に前記バッファ層の厚さが1μm以上かつ前記バッファ層の前記高抵抗基板との界面からの深さ方向の距離が1μmの領域における前記アクセプタ不純物の濃度が1×1016cm-3よりも小さい、半導体素子。

IPC (5件)：

H01L 21/338 ( 200 6.01) ,  H01L 29/812 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/78 301 H ,  H01L 21/20

引用特許：

出願人引用 (2件)

• β-Ga2O3系単結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196431   出願人：株式会社タムラ製作所
• 特許第5536920号
  

審査官引用 (2件)

• β-Ga2O3系単結晶膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196431   出願人：株式会社タムラ製作所
• 特許第5536920号