強誘電体キャパシタおよび電子デバイス

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-183184
公開番号（公開出願番号）：特開2016-058523
出願日： 2014年09月09日
公開日（公表日）： 2016年04月21日
要約：

【課題】自然エネルギーにより発生する電荷を蓄積可能な強誘電体キャパシタ及びそれを用いた電子デバイスを提供する。【解決手段】強誘電体キャパシタ100は、分極の方向が制御され、電荷蓄積領域110を有する強誘電体単結晶120であって、電荷蓄積領域110は、強誘電体単結晶120の表面の少なくとも一部の領域である、強誘電体単結晶120と、電荷蓄積領域110の周りに位置する金属層130と、少なくとも強誘電体単結晶120と金属層130との間に位置する誘電体層160とを備える。誘電体層160のバンドギャップは、強誘電体単結晶120のバンドギャップよりも大きく、強誘電体単結晶120に基づく電荷は、電荷蓄積領域110上に閉じ込められ、蓄積される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

分極の方向が制御され、電荷蓄積領域を有する強誘電体単結晶であって、前記電荷蓄積領域は、前記強誘電体単結晶の表面の少なくとも一部の領域である、強誘電体単結晶と、前記電荷蓄積領域の周りに位置する金属層と、少なくとも前記強誘電体単結晶と前記金属層との間に位置する誘電体層とを備え、前記誘電体層のバンドギャップは、前記強誘電体単結晶のバンドギャップよりも大きく、前記強誘電体単結晶に基づく電荷は、前記電荷蓄積領域上に閉じ込められ、蓄積される、強誘電体キャパシタ。

IPC (9件)：

H01G 4/33 , H01L 41/257 , H01L 41/113 , H01L 41/187 , H01L 41/29 , H01L 41/047 , H01L 37/02 , C01G 33/00 , C01G 35/00

FI (10件)：

H01G4/06 102 , H01L41/257 , H01L41/113 , H01L41/187 , H01L41/29 , H01L41/047 , H01L37/02 , C01G33/00 A , C01G35/00 A , C01G35/00 C

Fターム (9件)：

4G048AA04 , 4G048AC01 , 4G048AC02 , 4G048AD01 , 4G048AD07 , 5E082FG03 , 5E082FG26 , 5E082FG27 , 5E082PP10

引用特許：

審査官引用 (7件)

焦電形信号伝達素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-129084 出願人：富士通株式会社
圧電部品、圧電センサおよび圧電アクチュエータ、ならびにインクジェットプリンタヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-058573 出願人：松下電器産業株式会社
表面増強ラマン分光分析用(SERS)基板、その製造方法、それを用いたバイオセンサおよびそれを用いたマイクロ流路デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2013-135565 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, ワシントン大学

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