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J-GLOBAL ID：201702212541020325   整理番号：17A1012591

網羅的ソフトモードフォノン探索によるHfO₂薄膜の強誘電性の理論計算

著者 (4件)： 森分博紀 (ファインセラミックスセ) ,  東後篤史 (京大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大)
資料名： JFCC研究成果集  (JFCC研究成果発表会成果集)
巻： 2017  ページ： 15  発行年： 2017年 
JST資料番号： L1711B  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *誘電体薄膜 ,  *強誘電性 ,  計算 ,  ソフトモード ,  *強誘電体 ,  *構造相転移 ,  ゲート絶縁膜 ,  *蛍石 ,  相 ,  誘電転移 ,  理論計算 ,  強誘電相転移
準シソーラス用語： 高温相

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 探索 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  強誘電性 ,  理論計算