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J-GLOBAL ID：201702215219492272   整理番号：17A0551132

スパッタリング法によるY₂O₃-HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜作製とその評価

著者 (5件)： 鈴木大生 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  内田寛 (上智大 理工) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-304-1  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スパッタリング ,  *誘電体薄膜 ,  *エピタクシー ,  酸化イットリウム ,  酸化ハフニウム ,  *誘電分極 ,  X線構造解析 ,  *強誘電体薄膜
準シソーラス用語： 二酸化ハフニウム

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング法 ,  Y2O3 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  エピタキシャル ,  薄膜作製 ,  評価