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J-GLOBAL ID：201702217678737530   整理番号：17A1014998

固相成長法を用いた強誘電体HfO₂基薄膜のエピタキシャル成長と特性評価:

著者 (8件)： 三村和仙 (東京工大) ,  片山きりは (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  内田寛 (上智大 理工) ,  木口賢紀 (東北大 金属材料研) ,  赤間章裕 (東北大 金属材料研) ,  今野豊彦 (東北大 金属材料研) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 54th  ページ： 185  発行年： 2016年01月07日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒステリシス ,  酸化ハフニウム ,  蛍石型結晶 ,  パルスレーザ蒸着 ,  窒素 ,  雰囲気 ,  結晶化 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  *誘電体薄膜 ,  X線回折 ,  固相成長 ,  *強誘電体薄膜 ,  *固相エピタキシャル成長 ,  *酸化物薄膜 ,  窒素雰囲気
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 固相成長 ,  強誘電体 ,  HfO2 ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  特性評価