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J-GLOBAL ID：201702219247676455   整理番号：17A0864255

分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討

著者 (8件)： 高山留美 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (九大) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 117  号： 101(SDM2017 21-30)  ページ： 31-34  発行年： 2017年06月13日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)は高性能なパワーデバイスとして期待されており,2次元電子ガス(2DEG)を用いたN型GaN系デバイスが実現している。電力変換器のワンチップ化に向けてP/N相補型回路を実現するためにはPチャネルデバイスが重要である。そこで分極接合基板という技術による2次元正孔ガス(2DHG)を利用したPチャネルMOSFETが期待されている。今後さらなるデバイスの高性能化を目指すためには,界面特性の評価をはじめとしたデバイスの解析が求められるが,分極接合基板上のPチャネルMOSデバイスは構造が複雑であり新たな解析法を確立する必要があると考えられる。そこでデバイスのインピーダンス測定を行い,分極接合基板上PチャネルGaNデバイスの容量要素解析について検討を行った。(著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *二次元電子ガス ,  *正孔 ,  *P型半導体 ,  *MOS構造 ,  *電気測定 ,  インピーダンス ,  *MOSFET ,  *電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  キャラクタリゼーション ,  電力変換器 ,  相補回路 ,  分極 ,  接合 ,  基板 ,  *二次元正孔ガス ,  *インピーダンス解析 ,  *PMOS構造
準シソーラス用語： *PチャネルMOS

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• 奥村元,′′ワイドギャップ半導体によるパワーエレクトロニクスの革新′′,信学誌,Vol.93,No.11,pp.958-963,1979.
• T. Zimmermann, M. Neuburger, M. Kunze, I. Daumiller, A. Denisenko, A. Dadgar, A. Krost, and E. Kohn, P-channel InGaN-HFET Structure Based on Polarization Doping,′′ IEEE, vol.25, No.7, 2004.
• R. Chu, Y. Cao, M. Chen, R. Li and D. Zehnder, ′′An Experimental Demonstration of GaN CMOS Technology,′′ in IEEE Electron Device Letters, vol. 37, no. 3, pp. 269-271, 2016.
• A. Nakajima, Y. Sumida, M H. Dhyani, H. Kawai, and E. M. S. Narayanan, ′′High Density Two-Dimensional Hole Has Induced by Negative Polarization at GaN/AlGaN Hetrointerface,′′ Appl. Phys. Express, vol.3, No.12, 121004, 2010
• A. Nakajima, S. Nishizawa, H. Ohashi, R. Kayanuma, K. Tsutsui, S. Kubota, K. Kakushima, H. Wakabayashi, H. Iwai, ′′GaN-Based Monolithic Power Integrated Circuit Technology with Wide Operating Temperature on Polarization-Junction Platform,′′ ISPSD, pp.357-360, 2015

タイトルに関連する用語 (4件)： 分極 ,  チャネル ,  GaN ,  MOS構造