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J-GLOBAL ID：201702220554630295   整理番号：17A1140051

分極接合基板上PチャネルGaN MOS構造の特性評価

著者 (8件)： 高山留美 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  中島昭 (産業技術総合研) ,  西澤伸一 (九大) ,  大橋弘通 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6p-PA8-19  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *P型半導体 ,  *MOS構造 ,  *キャラクタリゼーション ,  *窒化ガリウム ,  *電流電圧特性 ,  基板 ,  分極 ,  *MOSFET ,  キャリア移動度 ,  有効性 ,  二次元電子ガス ,  正孔 ,  ヘテロ接合 ,  *ゲート絶縁膜 ,  二次元正孔ガス ,  正孔移動度 ,  PMOS構造
準シソーラス用語： PチャネルMOS ,  分極接合基板 ,  HFET

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  チャネル ,  GaN ,  MOS構造 ,  特性評価