文献

J-GLOBAL ID：201702227819560004   整理番号：17A1142049

La₂O₃を積層したCeO_x/SiO₂の抵抗変化メモリ動作

著者 (7件)： 水谷一翔 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8p-C18-5  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ランタン ,  *積層構造 ,  *酸化セシウム ,  二酸化ケイ素 ,  *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  不揮発性メモリ ,  タングステン ,  N型半導体 ,  ケイ素 ,  スイッチング ,  *保護膜 ,  *抵抗変化メモリ ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： La2O3 ,  SiO2 ,  抵抗変化メモリ