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J-GLOBAL ID：201702229497452249   整理番号：17A1140984

MoS₂ターゲット高温スパッタ法のロングスロー化によるMoS₂膜結晶性向上

著者 (6件)： 坂本拓朗 (東京工大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-C11-4  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  高温 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  層状化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *結晶度 ,  *Ramanスペクトル ,  プロセスパラメータ ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： MoS2 ,  ターゲット ,  スパッタ法 ,  結晶性