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J-GLOBAL ID：201702241710907392   整理番号：17A1140681

GaNエピウエハ内部の欠陥密度抽出法の提案

著者 (8件)： 片岡寛明 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  山本大貴 (住友化学工業)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7a-S22-4  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  *エピタクシー ,  *ウエハ【IC】 ,  *内部欠陥 ,  *欠陥密度 ,  欠陥検査 ,  空乏層 ,  層厚 ,  熱平衡

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  欠陥密度 ,  抽出法 ,  提案