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J-GLOBAL ID：201702246338515113   整理番号：17A1139076

Mo₂C電極を用いたSiCショットキーバリアダイオードの通電試験

著者 (7件)： 齋藤大樹 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6a-A201-7  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *モリブデン化合物 ,  *炭化物 ,  *電極 ,  *炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電気伝導 ,  *試験 ,  電流 ,  改変 ,  安定性 ,  熱処理 ,  電圧変動 ,  因子 ,  Schottky障壁 ,  不均一系反応 ,  *実験 ,  通電 ,  理想因子 ,  界面反応 ,  *炭化モリブデン ,  *動作実験
準シソーラス用語： 局在化 ,  *4H-SiC ,  電圧変化 ,  *動作試験

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： SiC ,  ショットキーバリアダイオード ,  通電 ,  試験