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J-GLOBAL ID：201702250987710384   整理番号：17A1139072

電極形成後の熱処理によるW/SiO₂/nSiC MOSキャパシタの電気特性

著者 (9件)： LEI Y.M. (東京工大) ,  金子喬 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  古橋壮之 (三菱電機) ,  友久伸吾 (三菱電機) ,  山川聡 (三菱電機)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.6a-A201-3  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電極 ,  タングステン ,  二酸化ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  *薄膜コンデンサ ,  *電気特性 ,  化学蒸着 ,  *後熱処理 ,  雰囲気 ,  プラズマ ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  混合気体 ,  容量電圧特性 ,  電圧 ,  ヒステリシス ,  MOS構造 ,  形成 ,  酸素プラズマ ,  酸素雰囲気 ,  窒化チタン
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  ALD【蒸着】 ,  *MOSキャパシタ ,  フォーミングガス ,  フラットバンド電圧

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱処理 ,  SiO2 ,  MOSキャパシタ ,  電気特性