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J-GLOBAL ID：201702252187439155   整理番号：17A1365777

ワイドギャップ半導体ZnOにおけるミュオン測定で明らかにする不純物水素サイトと電子状態

著者 (9件)： 小嶋健児 (KEK 物構研) ,  小嶋健児 (総合研究大学院大) ,  平石雅俊 (KEK 物構研) ,  岡部博孝 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (総合研究大学院大) ,  門野良典 (KEK 物構研) ,  門野良典 (総合研究大学院大) ,  大橋直樹 (物質・材料研究機構)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 72  号： 2  ページ： ROMBUNNO.24aA45-2  発行年： 2017年09月25日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  不純物 ,  水素 ,  *電子状態 ,  *水素同位体 ,  *μSR ,  超微細相互作用 ,  ワイドギャップ半導体

分類 (1件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： ワイドギャップ半導体 ,  ZnO ,  不純物 ,  水素 ,  電子状態