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J-GLOBAL ID：201702255464738492   整理番号：17A1138357

TiNを用いたGa₂O₃ショットキーバリアダイオードの電気特性

著者 (7件)： 金子喬 (東工大 工学院) ,  宗田伊理也 (東工大 工学院) ,  星井拓也 (東工大 工学院) ,  若林整 (東工大 工学院) ,  筒井一生 (東工大 科学技術創成研究院) ,  岩井洋 (東工大 科学技術創成研究院) ,  角嶋邦之 (東工大 工学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.5a-C17-2  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *チタン化合物 ,  *窒化物 ,  *酸化ガリウム ,  *Schottky障壁ダイオード ,  β相 ,  絶縁耐力 ,  高融点金属 ,  *電流密度 ,  *電流電圧特性 ,  電極 ,  Schottky障壁 ,  半導体金属接合 ,  窒化チタン ,  高耐圧 ,  Schottky接合
準シソーラス用語： 耐熱金属

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (4件)： TiN ,  Ga2O3 ,  ショットキーバリアダイオード ,  電気特性