同時スパッタ法とin-situ熱処理で作製したMoS<sub>2(1-x)</sub>Te<sub>2x</sub>の評価

日比野祐介; 石原聖也; 石原聖也; 澤本直美; 大橋匠; 松浦賢太朗; 町田英明; 須藤弘; 若林整; 小椋厚志

文献

J-GLOBAL ID：201702259974796166 整理番号：17A0548686

同時スパッタ法とin-situ熱処理で作製したMoS_2(1-x)Te_2xの評価

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資料名：
巻： 64th ページ： ROMBUNNO.15a-F203-8 発行年： 2017年03月01日
JST資料番号： Y0054B ISSN： 2758-4704 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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同時スパッタ法とin-situ熱処理で作製したMoS2(1-x)Te2xの評価

同時スパッタ法とin-situ熱処理で作製したMoS_2(1-x)Te_2xの評価