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J-GLOBAL ID：201702262912073370   整理番号：17A1141652

Y添加HfO₂エピタキシャル薄膜における負の電気熱量効果

著者 (7件)： 松尾翔吾 (名古屋大 工) ,  山田智明 (名古屋大 工) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  吉野正人 (名古屋大 工) ,  長崎正雅 (名古屋大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.8a-A504-9  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *イットリウム ,  *添加 ,  *薄膜 ,  *電場効果 ,  *エピタキシャル膜
準シソーラス用語： *負電気熱量効果 ,  電気熱量効果

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  電気熱量効果