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J-GLOBAL ID：201702264283684258   整理番号：17A0549866

トンネル電極を形成したスパッタMoS₂膜における電流の障壁膜厚依存性

著者 (8件)： 早川直希 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  清水淳一 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16a-F203-6  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 電極 ,  トンネル効果 ,  *硫化モリブデン ,  半導体薄膜 ,  *電流 ,  *依存性 ,  薄膜成長 ,  Schottky障壁 ,  膜厚依存性 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： トンネル電極 ,  *二硫化モリブデン ,  *障壁膜厚依存性

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (5件)： トンネル ,  スパッタ ,  MoS2 ,  障壁 ,  膜厚依存性