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J-GLOBAL ID：201702266592655256   整理番号：17A0566731

ベッセルビームを用いたSiC基板レーザドリリング

著者 (4件)： 飯田亮一 (東京工大) ,  KIM Byunggi (東京工大) ,  DUC Doan Hong (VNU-UET) ,  伏信一慶 (東京工大)
資料名： 日本機械学会熱工学コンファレンス講演論文集(CD-ROM)  (日本機械学会熱工学コンファレンス(CD-ROM))
巻： 2016  ページ： ROMBUNNO.A132  発行年： 2016年 
JST資料番号： L0417B  ISSN： 2424-290X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 次世代のパワー半導体材料としてSiCが近年注目されているが,その難加工性が普及を妨げている。本研究ではICの3次元実装技術において必要不可欠となる基板貫通穴の作成を目的として,SiC基板に対するベッセルビームを用いたレーザドリリング実験を行った。様々に加工パラメータを変えそれらの影響を検討したが,ベッセルビームのサイドローブの影響が強く加工結果に反映され,アスペクト比の高い理想的な基板貫通穴は得られなかった。より光子エネルギーの高い波長の選択や,発生するプラズマの積極的利用が必要と考えられる。(著者抄録)

シソーラス用語： *基板 ,  *光子ビーム ,  電力トランジスタ ,  高密度実装 ,  *スルーホール ,  *レーザ加工 ,  *Besselビーム ,  三次元実装 ,  *炭化ケイ素基板 ,  *ビーム
準シソーラス用語： *SiC基板 ,  パワー半導体 ,  *貫通穴

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ベッセルビーム ,  SiC基板 ,  レーザ ,  ドリリング