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J-GLOBAL ID：201702271942328798   整理番号：17A0589897

トポロジカル電子物質の開拓

Exploration of topological electronic materials.

著者 (1件)： 笹川崇男 (東京工大 科学技術創成研究院 フロンティア材料研)
資料名： 応用物理  (JSAP International)
巻： 86  号： 5  ページ： 381-386  発行年： 2017年05月10日 
JST資料番号： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 1980年代に1次元・2次元系を対象として理論構築が始まった物質中のトポロジーが2016年のノーベル物理学賞に輝いた。トポロジー効果に相対論効果を加え,舞台も自然に存在する3次元のバルク物質に移すことにより,今世紀になって物性物理学や物質科学が既存の延長線上にない不連続な進化を起こしつつある。応用にも革新をもたらすことが期待されるトポロジカル絶縁体とトボロジカル超伝導体について,物質・物性・機能の観点から研究の現状を紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *絶縁体 ,  *超伝導体 ,  位相幾何学 ,  二次元 ,  三次元 ,  *電子状態 ,  電子系 ,  電子 ,  バンド構造 ,  スピン-軌道相互作用 ,  *セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  Dirac点 ,  Dirac電子 ,  *セレン化ビスマス ,  二次元電子系 ,  *表面電子状態
準シソーラス用語： *トボロジカル超伝導体 ,  量子スピンHall絶縁体

分類 (2件)： 表面の電子構造  (BM02080J) ,  超伝導体の物性一般  (BM04021A)

引用文献 (33件)：

• D.J. Thouless, M. Kohmoto, M.P. Nightingale, and M.D. Nijs: Phys. Rev. Lett. 49, 405 (1982).
• F.D.M. Haldane: Phys. Rev. Lett. 61, 2015 (1988).
• G. Jotzu, M. Messer, R. Desbuquois, M. Lebrat, T. Uehlinger, D. Greif, and T. Esslinger: Nature 515, 237 (2014).
• C.L. Kane and E.J. Mele: Phys. Rev. Lett. 95, 226801 (2005).
• M. König, S. Wiedmann, C. Brüne, A. Roth, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, X.-L. Qi, and S.-C. Zhang: Science 318, 766 (2007).

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子 ,  物質 ,  開拓