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J-GLOBAL ID：201702278429675619   整理番号：17A0550314

積層W/C電極を用いた高耐熱SiCショットキーバリアダイオード

著者 (5件)： 鈴木智之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-502-5  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *耐熱性 ,  *炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  アノード ,  *炭化タングステン ,  *タングステン ,  *炭素電極 ,  *積層構造 ,  電流密度 ,  電流電圧特性 ,  RTA【熱処理】 ,  電圧 ,  温度依存性 ,  プラズマCVD ,  酸化膜 ,  二酸化ケイ素 ,  パターン形成 ,  RFスパッタリング ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  窒化チタン ,  化成皮膜
準シソーラス用語： 高耐熱 ,  *タングステン電極 ,  4H-SiC ,  アノード電圧

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高耐熱 ,  SiC ,  ショットキーバリアダイオード