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J-GLOBAL ID：201702280063056834   整理番号：17A0550230

スパッタリング法で堆積したMoS₂薄膜へのコンタクト抵抗と熱処理依存性

著者 (9件)： 外山真矢人 (東工大 工学院) ,  大橋匠 (東工大 工学院) ,  松浦賢太朗 (東工大 工学院) ,  清水淳一 (東工大 工学院) ,  宗田伊理也 (東工大 工学院) ,  星井拓也 (東工大 工学院) ,  角嶋邦之 (東工大 工学院) ,  筒井一生 (東工大 工学院) ,  若林整 (東工大 工学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-412-19  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *硫化モリブデン ,  *接触抵抗 ,  *熱処理 ,  バンドギャップ ,  キャリア移動度 ,  *電極 ,  チタン ,  薄膜成長 ,  *半導体薄膜 ,  半導体材料 ,  シート抵抗 ,  依存性 ,  高移動度
準シソーラス用語： *チタン電極 ,  熱処理依存性

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング法 ,  堆積 ,  MoS2 ,  薄膜 ,  コンタクト抵抗 ,  熱処理 ,  依存性