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J-GLOBAL ID：201702282667217506   整理番号：17A1140774

スパッタリング法による{100}配向Y₂O₃-HfO₂強誘電体エピタキシャル薄膜の作製とその評価

著者 (5件)： 鈴木大生 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  内田寛 (上智大 理工) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 78th  ページ： ROMBUNNO.7p-A204-4  発行年： 2017年08月25日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *酸化ハフニウム ,  *酸化イットリウム ,  *強誘電性 ,  結晶方位 ,  *薄膜 ,  電極 ,  焼結 ,  ヒステリシス ,  誘電分極 ,  *エピタキシャル膜 ,  分極ヒステリシス
準シソーラス用語： ITO電極 ,  *二酸化ハフニウム ,  RFマグネトロンスパッタリング

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (9件)： スパッタリング法 ,  配向 ,  Y2O3 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  作製 ,  評価