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J-GLOBAL ID：201702288225897193   整理番号：17A0550231

nMOSFET応用に向けた窒化ハフニウムの硫化による二硫化ハフニウム膜の作製

著者 (5件)： 篠原健朗 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.16p-412-20  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *N型半導体 ,  *MOSFET ,  *ハフニウム化合物 ,  *窒化物 ,  *硫化 ,  *硫化物 ,  キャリア移動度 ,  バンドギャップ ,  電子親和力 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *保護膜 ,  *硫化モリブデン ,  *焼なまし ,  Ramanスペクトル ,  窒化ハフニウム ,  電子移動度 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *nMOSFET ,  二硫化ハフニウム ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  二硫化モリブデン

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： nMOSFET ,  応用 ,  窒化ハフニウム ,  硫化 ,  ハフニウム ,  作製