特許
J-GLOBAL ID：201703000325448260
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人筒井国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-174393
公開番号（公開出願番号）：特開2017-049507
出願日： 2015年09月04日
公開日（公表日）： 2017年03月09日
要約：
【課題】寸法および形状のばらつきの小さい光導波路を有する半導体装置を提供する。【解決手段】光導波路を形成する際、ダミーパターンが形成される領域Cにおいて、レジストマスクRM2の開口部の面積と、レジストマスクRM2から露出するダミーパターン用の半導体層SL4の面積とが一致し、かつ、レジストマスクRM2から露出するダミーパターン用の半導体層SL4の厚さが均一となるようにする。これにより、ダミーパターン用の半導体層SL4をエッチングする際の実効的なパターン密度は変化しないので、所望する寸法および形状を有するリブ形状の光導波路を形成することができる。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、
前記第1絶縁膜上に形成された、半導体層からなる光導波路と、
前記光導波路を覆うように前記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、
を有し、
前記半導体層からなる複数の第1ダミーパターンが、前記光導波路の周囲の第1領域に形成され、
前記第1ダミーパターンの外周部の厚さが、前記第1ダミーパターンの中央部の厚さよりも厚い、半導体装置。
IPC (3件)：
G02B 6/122
, G02B 6/136
, G02F 1/025
G02B6/122
, G02B6/136
, G02F1/025
2H147AB02
, 2H147AC01
, 2H147BA05
, 2H147BC03
, 2H147BC05
, 2H147BG04
, 2H147BG11
, 2H147CD02
, 2H147CD05
, 2H147DA08
, 2H147DA09
, 2H147EA10D
, 2H147EA13A
, 2H147EA13C
, 2H147EA14B
, 2H147FA05
, 2H147FA09
, 2H147FC03
, 2H147FC07
, 2H147FC08
, 2H147FF01
, 2H147GA13
, 2K102AA18
, 2K102BA02
, 2K102BB04
, 2K102BC05
, 2K102BD01
, 2K102CA28
, 2K102DA05
, 2K102DD03
, 2K102EA02
, 2K102EA08
, 2K102EA16
