特許

J-GLOBAL ID：201703002436838108

サンプリング方法およびサンプリングシステム

発明者： 沖野 晃俊 ,  宮原 秀一 ,  相田 真里
出願人/特許権者： 国立大学法人東京工業大学
代理人 (3件)： 中尾 俊輔 ,  伊藤 高英 ,  前野 房枝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2016-096092
公開番号（公開出願番号）：特開2017-203713
出願日： 2016年05月12日
公開日（公表日）： 2017年11月16日
要約：

【課題】サンプリングが行われる被対象物に対して極めて低侵襲であるとともに、位置分解能に優れ、サンプルの性質に依存せずに容易にサンプリングが可能なサンプリング方法およびサンプリングシステムを提供すること。【解決手段】分析に供するサンプルを被対象物Wから得るためのサンプリング方法において、前記被対象物Wの表面に対して、第1の大気圧プラズマ3aを接触させるとともに、前記被対象物Wに損傷を与えない強度の第1のレーザー光4aを照射して、前記被対象物Wの表面からサンプルを脱離させてサンプリングを行うことを特徴とするサンプリング方法およびサンプリングシステム。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

分析に供するサンプルを被対象物から得るためのサンプリング方法において、 前記被対象物の表面に対して、大気圧プラズマを接触させるとともに、前記被対象物に損傷を与えない強度の第1のレーザー光を照射して、前記被対象物の表面からサンプルを脱離させてサンプリングを行うことを特徴とするサンプリング方法。

IPC (5件)：

G01N 27/62 ,  G01N 1/22 ,  G01N 27/64 ,  G01N 27/68 ,  G01N 21/73

FI (7件)：

G01N27/62 F ,  G01N1/22 R ,  G01N1/22 T ,  G01N27/62 G ,  G01N27/64 B ,  G01N27/68 Z ,  G01N21/73

Fターム (22件)：

2G041CA01 ,  2G041DA03 ,  2G041DA05 ,  2G041DA14 ,  2G041DA15 ,  2G041GA08 ,  2G041GA14 ,  2G043BA16 ,  2G043DA01 ,  2G043EA08 ,  2G043GA07 ,  2G043GB08 ,  2G043GB28 ,  2G052AD02 ,  2G052AD32 ,  2G052AD42 ,  2G052EB01 ,  2G052EB02 ,  2G052EB13 ,  2G052GA24 ,  2G052JA11 ,  2G052JA27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 付着物分析方法および付着物分析装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-233116   出願人：株式会社島津製作所, 国立大学法人福井大学
• プラズマを用いたサンプリング法およびサンプリング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-298462   出願人：国立大学法人東京工業大学