特許

J-GLOBAL ID：201703010936801645

光デバイス

発明者： 奥村 滋一 ,  最上 徹 ,  木下 啓藏 ,  堀川 剛 ,  藤方 潤一
出願人/特許権者： 技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
代理人 (5件)： 小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  竹内 茂雄 ,  山本 修 ,  大房 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-150525
公開番号（公開出願番号）：特開2017-034021
出願日： 2015年07月30日
公開日（公表日）： 2017年02月09日
要約：

【課題】暗電流を効果的に低減することができると共にGeによる製造ラインの汚染防止にも効果のある、Ge層上にSiキャップ層を設けた光デバイスを提供する。【解決手段】光デバイスの一態様は、Geを含んだ半導体層であって、(001)面と、(001)面と(110)面の間のファセット面とを有する半導体層と、前記半導体層の前記(001)面と前記ファセット面上に形成されたSiからなるキャップ層と、を備え、前記(001)面における前記キャップ層の膜厚に対する前記ファセット面における前記キャップ層の膜厚の比が0.4以上であり、前記(001)面における前記キャップ層の膜厚が9nm以上30nm以下である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Geを含んだ半導体層であって、(001)面と、(001)面と(110)面の間のファセット面とを有する半導体層と、 前記半導体層の前記(001)面と前記ファセット面上に形成されたSiからなるキャップ層と、 を備え、 前記(001)面における前記キャップ層の膜厚に対する前記ファセット面における前記キャップ層の膜厚の比が0.4以上であり、 前記(001)面における前記キャップ層の膜厚が9nm以上30nm以下である、 光デバイス。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 31/108

FI (2件)：

H01L31/10 A ,  H01L31/10 C

Fターム (12件)：

5F849AA04 ,  5F849AA06 ,  5F849AB02 ,  5F849BA05 ,  5F849CB01 ,  5F849DA26 ,  5F849FA05 ,  5F849GA04 ,  5F849GA05 ,  5F849HA13 ,  5F849XB15 ,  5F849XB25

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-077343   出願人：株式会社日立製作所, 日本電気株式会社
• 半導体光検出器及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-363338   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-235326
  
• 半導体基板、半導体装置および半導体基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-042590   出願人：住友化学株式会社, 独立行政法人産業技術総合研究所

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Si Waveguide-Integrated Metal-Semiconductor-Metal and p-i-n Type Ge Photodiodes Using Si-Capping Lay
• Differential receivers with highly -uniform MSM Germanium photodetectors capped by SiGe layer