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J-GLOBAL ID：201802211916658418   整理番号：18A1697576

Si(111)基板上に成長したInAs極薄膜のラマン分光法による歪み評価

著者 (5件)： 神林郁哉 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18p-234B-13  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ヒ化インジウム ,  *超薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  結晶方位 ,  *格子歪 ,  Ramanスペクトル ,  MBE成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  成長 ,  InAs ,  極薄膜 ,  ラマン分光法 ,  歪み ,  評価