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J-GLOBAL ID：201802215002550652   整理番号：18A1698352

スパッタリング法によるHfO₂基強誘電体の厚膜化とその電気特性評価

著者 (4件)： 志村礼司郎 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-133-18  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *強誘電体 ,  厚膜 ,  酸化ハフニウム ,  斜方晶系 ,  酸化イットリウム ,  誘電分極 ,  電場効果 ,  ヒステリシス ,  残留分極 ,  抗電場 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  分極ヒステリシス ,  *強誘電体薄膜
準シソーラス用語： *強誘電体膜 ,  *RFマグネトロンスパッタリング

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタリング法 ,  HfO2 ,  強誘電体 ,  厚膜 ,  電気特性 ,  評価