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J-GLOBAL ID：201802219781078599   整理番号：18A1697181

スパッタMoS₂膜のHfO₂膜越し硫化における表面残留硫黄除去

著者 (9件)： 谷川晴紀 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  濱田昌也 (東京工大) ,  坂本拓朗 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.18a-224B-5  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  スパッタ蒸着 ,  酸化ハフニウム ,  絶縁膜 ,  硫化 ,  焼なまし ,  *脱硫 ,  *薄膜成長 ,  *硫化モリブデン(IV) ,  *薄膜形成
準シソーラス用語： アニーリング処理 ,  スパッタリング蒸着 ,  *二硫化モリブデン ,  *成膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： スパッタ ,  MoS2 ,  HfO2 ,  硫化 ,  残留 ,  硫黄