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J-GLOBAL ID：201802221328681192   整理番号：18A1882257

AgドープBi₂Se₃における特異な伝導特性

著者 (9件)： 内山貴生 (岡山大 基礎研) ,  後藤秀徳 (岡山大 基礎研) ,  上杉英里 (岡山大 基礎研) ,  HE Tong (岡山大 基礎研) ,  太田弘道 (岡山大 大学院) ,  上野哲平 (岡山大 基礎研) ,  小林夏野 (岡山大 基礎研) ,  秋光純 (岡山大 基礎研) ,  久保園芳博 (岡山大 基礎研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 73  号： 2  ページ： ROMBUNNO.9aK106-8  発行年： 2018年09月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  ドーピング ,  銀 ,  *半導体薄膜 ,  *磁気抵抗効果 ,  温度依存性 ,  セレン化ビスマス

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ag ,  ドープ ,  伝導