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J-GLOBAL ID：201802224296787146   整理番号：18A0633898

絶縁膜を通した硫黄粉末アニールによるスパッタMoS₂膜の結晶性改善

著者 (7件)： 濱田昌也 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  谷川晴紀 (東京工大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.20a-C202-7  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *硫化モリブデン ,  硫黄 ,  粉体 ,  スパッタリング ,  *結晶度 ,  *薄膜成長 ,  薄膜 ,  結晶成長 ,  絶縁膜 ,  焼なまし ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (7件)： 絶縁膜 ,  硫黄 ,  粉末 ,  アニール ,  スパッタ ,  MoS2 ,  結晶性