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J-GLOBAL ID：201802225304899758   整理番号：18A0631791

ソース/ドレイン逆凹型コンタクト構造による横型積層シリコンナノワイヤFETにおける自己発熱効果の緩和

著者 (5件)： 安重英祐 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.18p-A202-11  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  ナノワイヤ ,  集積回路 ,  発熱 ,  格子振動 ,  素子構造 ,  温度分布 ,  酸化膜 ,  絶縁膜 ,  ドーピング ,  計算機シミュレーション ,  シミュレータ ,  格子温度 ,  膜厚依存性 ,  化成皮膜 ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *シリコンナノワイヤFET ,  *自己発熱影響 ,  デバイスシミュレーション

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (8件)： ソース ,  ドレイン ,  凹型 ,  コンタクト ,  横型 ,  シリコンナノワイヤFET ,  自己発熱 ,  緩和