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J-GLOBAL ID：201802226760431862   整理番号：18A0633895

共スパッタ法と(t-C₄H₉)₂S₂を用いた硫化によるMoS_2(1-x)Te_2x混晶の成膜

著者 (12件)： 日比野祐介 (明治大) ,  石原聖也 (明治大) ,  石原聖也 (日本学術振興会) ,  小柳有矢 (明治大) ,  澤本直美 (明治大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  松浦賢太朗 (東京工大) ,  町田英明 (気相成長) ,  石川真人 (気相成長) ,  須藤弘 (気相成長) ,  若林整 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.20a-C202-4  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： スパッタリング ,  硫化 ,  *硫化モリブデン ,  テルル化合物 ,  *固溶体 ,  *薄膜成長 ,  *硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  共スパッタリング

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 共スパッタ法 ,  硫化 ,  MoS2 ,  混晶 ,  成膜