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J-GLOBAL ID：201802229337217446   整理番号：18A1699499

HfO₂基強誘電体の相安定性と特性制御

著者 (3件)： 舟窪浩 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-141-1  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸化ハフニウム ,  *強誘電体 ,  *相安定性 ,  準安定相 ,  Curie温度 ,  酸化イットリウム ,  ドーピング ,  結晶方位 ,  残留分極 ,  分極反転 ,  ヒステリシス ,  誘電体薄膜 ,  分極ヒステリシス ,  強誘電体薄膜
準シソーラス用語： *二酸化ハフニウム ,  誘電ヒステリシス ,  強誘電薄膜

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  強誘電体 ,  相安定性 ,  特性制御