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J-GLOBAL ID：201802232304678050   整理番号：18A1699179

CeO_xを挿入したMIMキャパシタの静電容量の過渡応答特性

著者 (6件)： 久恒和也 (東京工大 工) ,  星井拓也 (東京工大 工) ,  宗田伊理也 (東京工大 工) ,  若林整 (東京工大 工) ,  筒井一生 (東京工大 工) ,  角嶋邦之 (東京工大 工)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20a-231A-6  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *静電容量 ,  過渡応答 ,  *薄膜コンデンサ ,  コンデンサ ,  誘電率 ,  化学蒸着 ,  *酸化セリウム ,  *電気二重層 ,  高誘電率
準シソーラス用語： 過渡応答特性 ,  *MIMキャパシタ ,  デカップリングキャパシタ ,  原子層蒸着

分類 (1件)： LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (3件)： MIMキャパシタ ,  静電容量 ,  過渡応答特性