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J-GLOBAL ID：201802237157460881   整理番号：18A0695015

Bi₂Se₃へのAgドープの効果

著者 (9件)： 内山貴生 (岡山大 基礎研) ,  後藤秀徳 (岡山大 基礎研) ,  上杉英里 (岡山大 基礎研) ,  HE Tong (岡山大 基礎研) ,  太田弘道 (岡山大 大学院) ,  上野哲平 (岡山大 基礎研) ,  小林夏野 (岡山大 基礎研) ,  秋光純 (岡山大 基礎研) ,  久保園芳博 (岡山大 基礎研)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (Meeting Abstracts of the Physical Society of Japan (CD-ROM))
巻： 73  号： 1  ページ： ROMBUNNO.22aB101-5  発行年： 2018年03月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *セレン化物 ,  *ビスマス化合物 ,  *銀 ,  *効果 ,  *絶縁体 ,  Fermi準位 ,  *エネルギー準位 ,  *表面構造 ,  *電気抵抗 ,  *Hall効果 ,  電子密度 ,  *トポロジカル絶縁体 ,  *セレン化ビスマス ,  *ドーピング効果 ,  *トポロジカル表面状態 ,  *構造
準シソーラス用語： *Ag

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (2件)： Ag ,  ドープ